Что такое FZT849TA?
FZT849TA — это компонент категории Транзисторы биполярные (BJT) одиночные от Diodes Incorporated. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных FZT849TA, Транзисторы биполярные (BJT) одиночные, от Diodes Incorporated
TRANS NPN 30V 7A SOT-223
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы биполярные (BJT) одиночныеОписание
TRANS NPN 30V 7A SOT-223
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FZT849TA от Diodes Incorporated в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
TRANS NPN 30V 7A SOT-223
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Factory Lead Time
15 Weeks
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
15 Weeks
Current Rating
7A
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2000
Termination
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product
100MHz
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Manufacturer
Diodes Incorporated
Weight
7.994566mg
Pbfree Code
no
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
4
Voltage - Rated DC
30V
Power Dissipation
3W
Frequency
100MHz
Width
3.7mm
Length
6.7mm
Height
1.8mm
Max Power Dissipation
3W
Case Connection
COLLECTOR
Sub-Categories
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Polarity/Channel Type
NPN
hFE Min
100
Collector Base Voltage (VCBO)
80V
Transition Frequency
100MHz
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA ICBO
Emitter Base Voltage (VEBO)
7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A 1V
Collector Emitter Saturation Voltage
350mV
Max Collector Current
7A
Continuous Collector Current
7A
Base Part Number
FZT849
Collector Emitter Voltage (VCEO)
30V
Collector Emitter Breakdown Voltage
120V
Manufacturer's Part No.
FZT849TA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 300mA, 6.5A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PDSO-G4
ECCN Code
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Elements
1
Transistor Type
NPN
Max Breakdown Voltage
30V
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FZT849TA, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FZT849TA?
Для FZT849TA указан корпус SOT-223. Текущее описание товара: TRANS NPN 30V 7A SOT-223. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FZT849TA в наличии?
Сейчас на странице указано 69549 шт. на складе и 18117 шт. доступно для FZT849TA. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FZT849TA?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FZT849TA от Diodes Incorporated. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FZT849TA?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FZT849TA от Diodes Incorporated, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FZT849TA?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FZT849TA.
Транзисторы биполярные (BJT) одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FMMT619TA
195 покупали
SOT23
RoHS
TRANS NPN 50V 2A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.05Добавить в список RFQ
FZT751TA
211 покупали
SOT-223
RoHS
TRANS PNP 60V 3A SOT-223
Ориентировочная цена
$0.09Добавить в список RFQ
FZT1049ATA
129 покупали
SOT-223
RoHS
TRANS NPN 25V 5A SOT-223
Ориентировочная цена
$0.21Добавить в список RFQ
2SB1316TL
197 покупали
SOT-428
RoHS
TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
BCX5316TA
184 покупали
SOT-89
RoHS
TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Ориентировочная цена
$0.06Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.