MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Изучите актуальный datasheet для SIB417EDK-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Полная техническая структура
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Export Classifications & Environmental
JESD-30 Code
S-XDSO-N3
Частые вопросы
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIB417EDK-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
SIB417EDK-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Для SIB417EDK-T1-GE3 указан корпус SC75-6. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Сейчас на странице указано 83561 шт. на складе и 58028 шт. доступно для SIB417EDK-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIB417EDK-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIB417EDK-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIB417EDK-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Еще материалы по закупкам
25 июн. 2026 г.
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.