Что такое IXFN120N20?
IXFN120N20 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от IXYS. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных IXFN120N20, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
HiPerFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для IXFN120N20 от IXYS в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Product Attribute
Factory Lead Time
8 Weeks
Product Attribute
Published
2003
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
8 Weeks
Published
2003
Part Status
Obsolete
Qualification Status
Not Qualified
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerFET™
Power Dissipation
600W
Terminal Form
UNSPECIFIED
Terminal Position
UPPER
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A Tc
Continuous Drain Current (ID)
120A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
480A
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
4
Voltage - Rated DC
200V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Pin Count
4
Case Connection
ISOLATED
Threshold Voltage
4V
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Fall Time (Typ)
40 ns
Mount
Chassis Mount
Recovery Time
250 ns
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Current Rating
120A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9100pF @ 25V
Power Dissipation-Max
600W Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17m Ω @ 500mA, 10V
Manufacturer's Part No.
IXFN120N20
Resistance
17MOhm
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-PUFM-X4
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Turn-Off Delay Time
110 ns
Terminal Finish
Nickel (Ni)
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
200V
Rise Time
55ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IXFN120N20, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для IXFN120N20?
Для IXFN120N20 указан корпус SOT-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли IXFN120N20 в наличии?
Сейчас на странице указано 45989 шт. на складе и 11366 шт. доступно для IXFN120N20. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для IXFN120N20?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IXFN120N20 от IXYS. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для IXFN120N20?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IXFN120N20 от IXYS, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом IXFN120N20?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IXFN120N20.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFR9020TRPBF
223 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Ориентировочная цена
$0.17Добавить в список RFQ
FDC642P
226 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
FDD4685
200 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
Ориентировочная цена
$0.66Добавить в список RFQ
IRF540ZPBF
148 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.42Добавить в список RFQ
FQB5N90TM
170 покупали
TO-263
RoHS
N-Channel 900V 5.4A 5V @ 250uA 2.3Ω @ 2.7A,10V 3.13W TO-263-3 MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$16.70Добавить в список RFQ
FDC658P
160 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.39Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.