Что такое NVBG070N120M3S?
NVBG070N120M3S — это компонент категории SiC МОП-транзисторы от onsemi. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
1200V 70 mOhm EliteSiC MOSFET in TO-247-4 package

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
EliteSiC M3S
Минимальное количество
1
Категория
МОП-транзисторыПодкатегория
SiC МОП-транзисторыОписание
1200V 70 mOhm EliteSiC MOSFET in TO-247-4 package
Основные характеристики
-
Технический документ
Изучите актуальный datasheet для NVBG070N120M3S от onsemi в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Полная техническая структура
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Product Parameter
Device Type
SiC MOSFET
Product Parameter
Drain-Source Voltage (Vds)
1200V
Product Parameter
Rds(on) (max)
70 mOhm
Product Parameter
Technology Family
EliteSiC M3S
Package Parameter
Kelvin Source Pin
Yes
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
RoHS
Частые вопросы
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NVBG070N120M3S, наличие, документацию и процесс закупки.
NVBG070N120M3S — это компонент категории SiC МОП-транзисторы от onsemi. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Для NVBG070N120M3S указан корпус TO-247-4. Текущее описание товара: 1200V 70 mOhm EliteSiC MOSFET in TO-247-4 package. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Сейчас на странице указано 15500 шт. на складе и 11800 шт. доступно для NVBG070N120M3S. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NVBG070N120M3S от onsemi. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NVBG070N120M3S от onsemi, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NVBG070N120M3S.
SiC МОП-транзисторы
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.




650V 40 mOhm CoolSiC automotive MOSFET in TO-247-4


Еще материалы по закупкам
29 июн. 2026 г.
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
