Поставка оригинальных NTD3055L104G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных NTD3055L104G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NTD3055L104G

Внутренний код

TCE000046491

Упаковка

TO-252-3

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для NTD3055L104G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Packaging

Tube

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Published

2005

REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Mounting Type
Surface Mount
Published
2005
Part Status
Obsolete
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250μA
Length
6.73mm
Power Dissipation
48W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Pin Count
3
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Height
2.38mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
15V
Vgs (Max)
±15V
Voltage - Rated DC
60V
Threshold Voltage
1.6V
Lifecycle Status
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Continuous Drain Current (ID)
12A
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
5V
Current Rating
25A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A Ta
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
45A
Power Dissipation-Max
1.5W Ta 48W Tj
Fall Time (Typ)
40.5 ns
Resistance
104MOhm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104m Ω @ 6A, 5V
Manufacturer's Part No.
NTD3055L104G
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
19 ns
Turn On Delay Time
9.2 ns
Rise Time
104ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NTD3055L104G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NTD3055L104G?

NTD3055L104G — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NTD3055L104G?

Для NTD3055L104G указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NTD3055L104G в наличии?

Сейчас на странице указано 11497 шт. на складе и 11497 шт. доступно для NTD3055L104G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NTD3055L104G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NTD3055L104G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NTD3055L104G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NTD3055L104G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом NTD3055L104G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NTD3055L104G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.