Что такое SI3445DV-T1-E3?
SI3445DV-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI3445DV-T1-E3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI3445DV-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
110 ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
20 ns
Product Parameter
Rise Time
50ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
110 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
20 ns
Rise Time
50ns
Dual Supply Voltage
-8V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Published
2013
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Series
TrenchFET®
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Vgs (Max)
±8V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
1.8V 4.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Height
1mm
Resistance
42MOhm
Length
3.05mm
Power Dissipation
2W
Nominal Vgs
-1 V
Threshold Voltage
-1V
Fall Time (Typ)
60 ns
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
20A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Weight
19.986414mg
Width
1.65mm
Continuous Drain Current (ID)
5.6A
Power Dissipation-Max
2W Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42m Ω @ 5.6A, 4.5V
Drain to Source Breakdown Voltage
-8V
Input Capacitance
3.15nF
Manufacturer's Part No.
SI3445DV-T1-E3
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI3445DV-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI3445DV-T1-E3?
Для SI3445DV-T1-E3 указан корпус TSOP. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI3445DV-T1-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 19986 шт. на складе и 14995 шт. доступно для SI3445DV-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI3445DV-T1-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI3445DV-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI3445DV-T1-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI3445DV-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI3445DV-T1-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI3445DV-T1-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDC645N
173 покупали
SSOT-6
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.17Добавить в список RFQ
STD20NF06T4
190 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Ориентировочная цена
$0.44Добавить в список RFQ
FDMS8027S
200 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V POWER56
Ориентировочная цена
$0.89Добавить в список RFQ
SI2319DS-T1-E3
176 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
SIR462DP-T1-GE3
219 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$3.50Добавить в список RFQ
IRFS4310TRLPBF
196 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.35Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.