Что такое SI3473DV-T1-E3?
SI3473DV-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI3473DV-T1-E3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI3473DV-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
130 ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Dual Supply Voltage
-12V
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
130 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
-12V
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Rise Time
50ns
Turn On Delay Time
25 ns
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2011
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Series
TrenchFET®
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Vgs (Max)
±8V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
1.8V 4.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Height
1mm
Length
3.05mm
Power Dissipation
2W
Nominal Vgs
-1 V
Threshold Voltage
-1V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Weight
19.986414mg
Width
1.65mm
Resistance
23MOhm
Fall Time (Typ)
50 ns
Power Dissipation-Max
1.1W Ta
Manufacturer's Part No.
SI3473DV-T1-E3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.9A Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23m Ω @ 7.9A, 4.5V
Continuous Drain Current (ID)
-5.9A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI3473DV-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI3473DV-T1-E3?
Для SI3473DV-T1-E3 указан корпус TSOP. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI3473DV-T1-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 23640 шт. на складе и 22397 шт. доступно для SI3473DV-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI3473DV-T1-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI3473DV-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI3473DV-T1-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI3473DV-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI3473DV-T1-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI3473DV-T1-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FQD19N10LTM
170 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
DMP4051LK3-13
144 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 40V 7.2A DPAK
Ориентировочная цена
$0.09Добавить в список RFQ
IRFR3505PBF
176 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
FDD8780
219 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA
Ориентировочная цена
$0.11Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.