Поставка оригинальных SI3585CDV-T1-GE3, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Vishay

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных SI3585CDV-T1-GE3, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Vishay | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

SI3585CDV-T1-GE3

Внутренний код

TCE000048001

Упаковка

SOT-23-6

Производитель

Vishay

Ключевые характеристики

Серия

TrenchFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для SI3585CDV-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

The SI3585CDV-T1-GE3 is a high-performance, dual-channel, low-side MOSFET driver manufactured by Vishay. This device is designed to drive N-channel MOSFETs in various applications, including power management, motor control, and other switching applications.

Key Features:

  1. Dual Channel: The SI3585CDV-T1-GE3 features two independent driver channels, allowing it to control two MOSFETs simultaneously. This is particularly useful in half-bridge configurations.

  2. High Drive Current: The driver can provide a peak output current of up to 2A, which enables fast switching of the MOSFETs, reducing switching losses and improving overall efficiency.

  3. Wide Supply Voltage Range: The device operates over a wide supply voltage range, typically from 4.5V to 20V, making it versatile for various applications.

  4. Fast Switching Speed: With a rise time and fall time in the nanosecond range, the SI3585CDV-T1-GE3 is capable of driving MOSFETs quickly, which is essential for high-frequency applications.

  5. Low Propagation Delay: The driver features low propagation delays, ensuring that the output signal closely follows the input signal, which is critical for synchronous operation in switching applications.

  6. Thermal Protection: The device includes thermal shutdown features to protect against overheating, enhancing reliability in demanding environments.

  7. Compact Package: The SI3585CDV-T1-GE3 is available in a compact SOIC-8 package, which is suitable for space-constrained applications while providing good thermal performance.

  8. Logic Level Compatibility: The driver is compatible with standard logic levels, allowing it to interface easily with microcontrollers and other digital logic devices.

  9. Integrated Bootstrap Diode: The device may include an integrated bootstrap diode, simplifying the design of high-side drivers in half-bridge configurations.

Applications:

  • Motor Control: Ideal for driving the low-side switches in motor control applications, including brushless DC motors and stepper motors.
  • Power Management: Suitable for use in power supply circuits, including DC-DC converters and power factor correction circuits.
  • Switching Regulators: Can be used in synchronous buck converters to drive the low-side MOSFETs efficiently.
  • Lighting Control: Effective in LED drivers and other lighting control applications where efficient switching is required.

Electrical Characteristics:

  • Input Voltage Range: 4.5V to 20V
  • Output Current: Up to 2A
  • Propagation Delay: Typically in the range of tens of nanoseconds
  • Operating Temperature Range: -40°C to +125°C, making it suitable for automotive and industrial applications.

In summary, the SI3585CDV-T1-GE3 from Vishay is a robust and efficient dual-channel MOSFET driver that offers high drive current, fast switching speeds, and a wide operating voltage range, making it an excellent choice for a variety of power management and motor control applications.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Factory Lead Time

14 Weeks

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Published
2013
Qualification Status
Not Qualified
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.1mm
Manufacturer
Vishay
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Max Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
TrenchFET®
Reflow Temperature-Max (s)
30
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Reach Compliance Code
unknown
Power Dissipation
1.1W
Threshold Voltage
1.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Weight
19.986414mg
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 10V
Fall Time (Typ)
7 ns
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
FET Type
N and P-Channel
Continuous Drain Current (ID)
2.1A
JEDEC-95 Code
MO-193AA
Manufacturer's Part No.
SI3585CDV-T1-GE3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58m Ω @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
3.9A
Resistance
195mOhm
Power - Max
1.4W 1.3W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.9A 2.1A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Channels
2
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Number of Elements
2
Turn On Delay Time
3 ns
Rise Time
10ns
FET Feature
Logic Level Gate
Turn-Off Delay Time
13 ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI3585CDV-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое SI3585CDV-T1-GE3?

SI3585CDV-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для SI3585CDV-T1-GE3?

Для SI3585CDV-T1-GE3 указан корпус SOT-23-6. Текущее описание товара: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли SI3585CDV-T1-GE3 в наличии?

Сейчас на странице указано 43529 шт. на складе и 17748 шт. доступно для SI3585CDV-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для SI3585CDV-T1-GE3?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI3585CDV-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для SI3585CDV-T1-GE3?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI3585CDV-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом SI3585CDV-T1-GE3?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI3585CDV-T1-GE3.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.