Что такое SI3585CDV-T1-GE3?
SI3585CDV-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Основные характеристики
-
Технический документ
Изучите актуальный datasheet для SI3585CDV-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
The SI3585CDV-T1-GE3 is a high-performance, dual-channel, low-side MOSFET driver manufactured by Vishay. This device is designed to drive N-channel MOSFETs in various applications, including power management, motor control, and other switching applications.
Dual Channel: The SI3585CDV-T1-GE3 features two independent driver channels, allowing it to control two MOSFETs simultaneously. This is particularly useful in half-bridge configurations.
High Drive Current: The driver can provide a peak output current of up to 2A, which enables fast switching of the MOSFETs, reducing switching losses and improving overall efficiency.
Wide Supply Voltage Range: The device operates over a wide supply voltage range, typically from 4.5V to 20V, making it versatile for various applications.
Fast Switching Speed: With a rise time and fall time in the nanosecond range, the SI3585CDV-T1-GE3 is capable of driving MOSFETs quickly, which is essential for high-frequency applications.
Low Propagation Delay: The driver features low propagation delays, ensuring that the output signal closely follows the input signal, which is critical for synchronous operation in switching applications.
Thermal Protection: The device includes thermal shutdown features to protect against overheating, enhancing reliability in demanding environments.
Compact Package: The SI3585CDV-T1-GE3 is available in a compact SOIC-8 package, which is suitable for space-constrained applications while providing good thermal performance.
Logic Level Compatibility: The driver is compatible with standard logic levels, allowing it to interface easily with microcontrollers and other digital logic devices.
Integrated Bootstrap Diode: The device may include an integrated bootstrap diode, simplifying the design of high-side drivers in half-bridge configurations.
In summary, the SI3585CDV-T1-GE3 from Vishay is a robust and efficient dual-channel MOSFET driver that offers high drive current, fast switching speeds, and a wide operating voltage range, making it an excellent choice for a variety of power management and motor control applications.
Полная техническая структура
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Factory Lead Time
14 Weeks
Частые вопросы
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI3585CDV-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
SI3585CDV-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Для SI3585CDV-T1-GE3 указан корпус SOT-23-6. Текущее описание товара: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Сейчас на странице указано 43529 шт. на складе и 17748 шт. доступно для SI3585CDV-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI3585CDV-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI3585CDV-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI3585CDV-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Еще материалы по закупкам
3 июл. 2026 г.
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
