Что такое SI2308BDS-T1-E3?
SI2308BDS-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI2308BDS-T1-E3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI2308BDS-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
10 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
16ns
Turn On Delay Time
4 ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2003
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Subcategory
FET General Purpose Powers
Series
TrenchFET®
Height
1.12mm
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Width
1.4mm
Fall Time (Typ)
16 ns
Length
3.04mm
Threshold Voltage
1V
Weight
1.437803g
Continuous Drain Current (ID)
1.9A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Manufacturer's Part No.
SI2308BDS-T1-E3
Resistance
156MOhm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156m Ω @ 1.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 30V
Power Dissipation-Max
1.09W Ta 1.66W Tc
Power Dissipation
1.09W
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI2308BDS-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI2308BDS-T1-E3?
Для SI2308BDS-T1-E3 указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI2308BDS-T1-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 57981 шт. на складе и 46248 шт. доступно для SI2308BDS-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI2308BDS-T1-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI2308BDS-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI2308BDS-T1-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI2308BDS-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI2308BDS-T1-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI2308BDS-T1-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRLR014PBF
130 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Ориентировочная цена
$0.16Добавить в список RFQ
SI2303CDS-T1-GE3
162 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.03Добавить в список RFQ
FDMS86300DC
179 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
Ориентировочная цена
$1.85Добавить в список RFQ
IRFR1018EPBF
130 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Ориентировочная цена
$0.77Добавить в список RFQ
IRL1004PBF
177 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
Ориентировочная цена
$1.36Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.