Что такое SI2301CDS-T1-E3?
SI2301CDS-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI2301CDS-T1-E3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI2301CDS-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Turn On Delay Time
11 ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
30 ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn On Delay Time
11 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Turn-Off Delay Time
30 ns
Rise Time
35ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Published
2016
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Series
TrenchFET®
Height
1.12mm
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Vgs (Max)
±8V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Number of Terminations
3
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Threshold Voltage
-1V
Fall Time (Typ)
35 ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 4.5V
Weight
1.437803g
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 10V
Continuous Drain Current (ID)
-2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112m Ω @ 2.8A, 4.5V
Manufacturer's Part No.
SI2301CDS-T1-E3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A Tc
Power Dissipation-Max
860mW Ta 1.6W Tc
Power Dissipation
860mW
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI2301CDS-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI2301CDS-T1-E3?
Для SI2301CDS-T1-E3 указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI2301CDS-T1-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 98457 шт. на складе и 32734 шт. доступно для SI2301CDS-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI2301CDS-T1-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI2301CDS-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI2301CDS-T1-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI2301CDS-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI2301CDS-T1-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI2301CDS-T1-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FCPF7N60
180 покупали
TO-220-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Ориентировочная цена
$1.23Добавить в список RFQ
MTD5P06VT4
180 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
IRFP4110PBF
192 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
Ориентировочная цена
$0.87Добавить в список RFQ
FDS6681Z
184 покупали
SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
Ориентировочная цена
$0.57Добавить в список RFQ
2N7002E-T1-E3
177 покупали
SOT-23
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
Ориентировочная цена
$0.21Добавить в список RFQ
FDB2710
194 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Ориентировочная цена
$19.66Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.