Что такое FDS2572?
FDS2572 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDS2572, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
UltraFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDS2572 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Factory Lead Time
12 Weeks
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Reflow Temperature-Max (s)
30
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Width
4mm
Height
1.5mm
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Power Dissipation
2.5W
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Weight
130mg
Power Dissipation-Max
2.5W Ta
Voltage - Rated DC
150V
Threshold Voltage
4V
Drain to Source Breakdown Voltage
150V
Fall Time (Typ)
22 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Series
UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47m Ω @ 4.9A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDS2572
Continuous Drain Current (ID)
4.9A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.9A Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2050pF @ 25V
Resistance
47mOhm
Current Rating
4.9A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Turn-Off Delay Time
44 ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
14 ns
Rise Time
4ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDS2572, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDS2572?
Для FDS2572 указан корпус 8-SOIC. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDS2572 в наличии?
Сейчас на странице указано 90192 шт. на складе и 58299 шт. доступно для FDS2572. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDS2572?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDS2572 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDS2572?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDS2572 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDS2572?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDS2572.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFR3707ZTRPBF
140 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Ориентировочная цена
$1.27Добавить в список RFQ
FDMS86500DC
133 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
Ориентировочная цена
$11.00Добавить в список RFQ
SPB18P06PGATMA1
136 покупали
TO-263
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
Ориентировочная цена
$0.58Добавить в список RFQ
FDMS8023S
133 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V POWER56
Ориентировочная цена
$0.33Добавить в список RFQ
IRFZ46NPBF
146 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.32Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.