Что такое FDS2582?
FDS2582 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDS2582, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDS2582 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Factory Lead Time
11 Weeks
Product Attribute
Published
2002
Product Attribute
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
11 Weeks
Published
2002
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
Element Configuration
Single
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Series
PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Width
4mm
Height
1.5mm
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Power Dissipation
2.5W
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Weight
130mg
Power Dissipation-Max
2.5W Ta
Voltage - Rated DC
150V
Threshold Voltage
4V
Drain to Source Breakdown Voltage
150V
Fall Time (Typ)
26 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.1A Ta
Resistance
66mOhm
Current Rating
4.1A
Continuous Drain Current (ID)
4.1A
Manufacturer's Part No.
FDS2582
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66m Ω @ 4.1A, 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
252 mJ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1290pF @ 25V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
JESD-609 Code
e4
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Turn On Delay Time
11 ns
Turn-Off Delay Time
36 ns
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
150V
Rise Time
19ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDS2582, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDS2582?
Для FDS2582 указан корпус 8SOIC. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDS2582 в наличии?
Сейчас на странице указано 61882 шт. на складе и 32624 шт. доступно для FDS2582. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDS2582?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDS2582 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDS2582?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDS2582 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDS2582?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDS2582.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
SI2312BDS-T1-E3
222 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.09Добавить в список RFQ
FDMS5352
200 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56
Ориентировочная цена
$1.37Добавить в список RFQ
IRF6215STRLPBF
215 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.67Добавить в список RFQ
IRFS4227PBF
192 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.76Добавить в список RFQ
IRFU5410PBF
226 покупали
TO-251-3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.36Добавить в список RFQ
FDMC7660DC
191 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 40A POWER33
Ориентировочная цена
$1.10Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.