Что такое FDS9953A?
FDS9953A — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Поставка оригинальных FDS9953A, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDS9953A от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Product Parameter
Number of Elements
2
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Product Parameter
Rise Time
13ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
11 ns
Terminal Finish
Tin (Sn)
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements
2
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rise Time
13ns
Turn-Off Delay Time
11 ns
Turn On Delay Time
4.5 ns
FET Feature
Logic Level Gate
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Terminal Form
GULL WING
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Manufacturer
ON Semiconductor
Max Power Dissipation
2W
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Radiation Hardening
No
Width
4mm
Height
1.5mm
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Nominal Vgs
1.8 V
Element Configuration
Dual
Voltage - Rated DC
-30V
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Power Dissipation
2W
Fall Time (Typ)
2 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.5nC @ 10V
Threshold Voltage
-1.8V
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Power - Max
900mW
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Resistance
130mOhm
Weight
230.4mg
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
10A
Current Rating
-2.9A
Continuous Drain Current (ID)
2.9mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
185pF @ 15V
Manufacturer's Part No.
FDS9953A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130m Ω @ 1A, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDS9953A, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDS9953A?
Для FDS9953A указан корпус 8SOIC. Текущее описание товара: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDS9953A в наличии?
Сейчас на странице указано 87681 шт. на складе и 53859 шт. доступно для FDS9953A. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDS9953A?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDS9953A от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDS9953A?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDS9953A от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDS9953A?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDS9953A.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
BSS84DW-7-F
211 покупали
SC70-6
RoHS
Datasheet
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6
Ориентировочная цена
$0.02Добавить в список RFQ
FDMA1028NZ
131 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6-MICROFET
Ориентировочная цена
$0.47Добавить в список RFQ
SI3993DV-T1-E3
134 покупали
TSOP
RoHS
Datasheet
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Ориентировочная цена
$0.34Добавить в список RFQ
FDS6930B
225 покупали
8SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Ориентировочная цена
$1.24Добавить в список RFQ
FDMS3660S
137 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Ориентировочная цена
$0.51Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.