Что такое FDS4435BZ?
FDS4435BZ — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDS4435BZ, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDS4435BZ от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Packaging
Tape & Reel (TR)
Product Attribute
Published
2009
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Factory Lead Time
18 Weeks
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.75mm
Element Configuration
Single
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Width
4mm
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Power Dissipation
2.5W
Weight
130mg
Power Dissipation-Max
2.5W Ta
Voltage - Rated DC
-30V
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Threshold Voltage
-2.1V
Resistance
20MOhm
Fall Time (Typ)
38 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.8A Ta
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1845pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20m Ω @ 8.8A, 10V
Current Rating
-8.8A
Feedback Cap-Max (Crss)
345 pF
Manufacturer's Part No.
FDS4435BZ
Nominal Vgs
-2.1 V
Continuous Drain Current (ID)
-8.8A
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
30 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rise Time
13ns
Turn On Delay Time
10 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDS4435BZ, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDS4435BZ?
Для FDS4435BZ указан корпус 8-SOIC. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDS4435BZ в наличии?
Сейчас на странице указано 94191 шт. на складе и 15943 шт. доступно для FDS4435BZ. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDS4435BZ?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDS4435BZ от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDS4435BZ?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDS4435BZ от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDS4435BZ?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDS4435BZ.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDN5618P
216 покупали
SSOT3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
Ориентировочная цена
$0.08Добавить в список RFQ
IXFN200N07
225 покупали
SOT-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
Ориентировочная цена
$18.85Добавить в список RFQ
ZVN4310GTA
206 покупали
SOT223
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
Ориентировочная цена
$0.76Добавить в список RFQ
FDPF51N25
172 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
Ориентировочная цена
$1.01Добавить в список RFQ
FQP12N60C
208 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
Ориентировочная цена
$1.06Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.