Что такое APT8M100B?
APT8M100B — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Microsemi. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных APT8M100B, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Microsemi
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для APT8M100B от Microsemi в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Published
1997
Factory Lead Time
23 Weeks
Qualification Status
Not Qualified
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
FET General Purpose Powers
Vgs (Max)
±30V
Package / Case
TO-247-3
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Terminal Position
SINGLE
Pin Count
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Current Rating
8A
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A Tc
Continuous Drain Current (ID)
8A
Voltage - Rated DC
1kV
Length
21.46mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Manufacturer
Microsemi
Lifecycle Status
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
27A
JEDEC-95 Code
TO-247AB
Weight
38.000013g
Height
5.31mm
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Width
16.26mm
Power Dissipation-Max
290W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1885pF @ 25V
Additional Feature
FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ω @ 4A, 10V
Power Dissipation
290W
Fall Time (Typ)
7.2 ns
Drain Current-Max (Abs) (ID)
7.3A
Manufacturer's Part No.
APT8M100B
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-609 Code
e1
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Terminal Finish
TIN SILVER COPPER
Number of Elements
1
Configuration
SINGLE
Turn On Delay Time
8.5 ns
Turn-Off Delay Time
29 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V
Rise Time
7.8ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют APT8M100B, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для APT8M100B?
Для APT8M100B указан корпус TO-247. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли APT8M100B в наличии?
Сейчас на странице указано 27113 шт. на складе и 21321 шт. доступно для APT8M100B. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для APT8M100B?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для APT8M100B от Microsemi. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для APT8M100B?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для APT8M100B от Microsemi, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом APT8M100B?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для APT8M100B.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
CSD18533KCS
175 покупали
TO220
RoHS
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Ориентировочная цена
$0.83Добавить в список RFQ
FDMC610P
148 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Ориентировочная цена
$0.89Добавить в список RFQ
STB26NM60N
198 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Ориентировочная цена
$3.56Добавить в список RFQ
IRFU4105ZPBF
217 покупали
TO-251-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.56Добавить в список RFQ
FDMS86200
146 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 150V POWER56
Ориентировочная цена
$0.50Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.