Что такое BSS138LT3G?
BSS138LT3G — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных BSS138LT3G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для BSS138LT3G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
20 ns
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
20 ns
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Turn-Off Delay Time
20 ns
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
20 ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Published
2005
Packaging
Tape & Reel (TR)
Halogen Free
Halogen Free
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Height
940μm
Subcategory
FET General Purpose Powers
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Length
2.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Current Rating
200mA
Power Dissipation
225mW
Width
1.3mm
Voltage - Rated DC
50V
Resistance
3.5Ohm
Continuous Drain Current (ID)
200mA
Drain to Source Breakdown Voltage
50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
5V
Nominal Vgs
500 mV
Threshold Voltage
500mV
Feedback Cap-Max (Crss)
5 pF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
0.2A
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Manufacturer's Part No.
BSS138LT3G
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ω @ 200mA, 5V
Power Dissipation-Max
225mW Ta
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют BSS138LT3G, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для BSS138LT3G?
Для BSS138LT3G указан корпус SOT-23. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли BSS138LT3G в наличии?
Сейчас на странице указано 54608 шт. на складе и 22427 шт. доступно для BSS138LT3G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для BSS138LT3G?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для BSS138LT3G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для BSS138LT3G?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для BSS138LT3G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом BSS138LT3G?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для BSS138LT3G.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
SIR422DP-T1-GE3
171 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$0.47Добавить в список RFQ
IRFS41N15DTRLP
164 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.25Добавить в список RFQ
FQP13N10L
224 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
Ориентировочная цена
$0.52Добавить в список RFQ
IRFZ34NPBF
212 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
N-Channel 55V 29A 4V @ 250uA 40mΩ @ 16A,10V 68W TO-220(TO-220-3) MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.16Добавить в список RFQ
FDP8860
201 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
Ориентировочная цена
$1.55Добавить в список RFQ
SI3443CDV-T1-GE3
195 покупали
SOT-23-6
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.