Поставка оригинальных BSC010N04LSATMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных BSC010N04LSATMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

BSC010N04LSATMA1

Внутренний код

TCE000049947

Упаковка

-

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

OptiMOS™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для BSC010N04LSATMA1 от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

Export Classifications & Environmental

JESD-30 Code

R-PDSO-F3

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-F3
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Published
2003
Halogen Free
Halogen Free
Packaging
Cut Tape (CT)
Terminal Position
DUAL
Reach Compliance Code
not_compliant
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.1mm
Factory Lead Time
39 Weeks
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250μA
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
400A
Package / Case
8-PowerTDFN
Pbfree Code
no
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Terminal Form
FLAT
Power Dissipation
2.5W
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Fall Time (Typ)
9 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A Ta 100A Tc
Continuous Drain Current (ID)
100A
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Threshold Voltage
1.2V
Series
OptiMOS™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
330 mJ
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1m Ω @ 50A, 10V
Manufacturer's Part No.
BSC010N04LSATMA1
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 139W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 20V
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
10 ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Turn-Off Delay Time
46 ns
Rise Time
12ns
Max Dual Supply Voltage
40V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют BSC010N04LSATMA1, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое BSC010N04LSATMA1?

BSC010N04LSATMA1 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для BSC010N04LSATMA1?

Для BSC010N04LSATMA1 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли BSC010N04LSATMA1 в наличии?

Сейчас на странице указано 73548 шт. на складе и 73548 шт. доступно для BSC010N04LSATMA1. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для BSC010N04LSATMA1?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для BSC010N04LSATMA1 от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для BSC010N04LSATMA1?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для BSC010N04LSATMA1 от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом BSC010N04LSATMA1?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для BSC010N04LSATMA1.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.