Поставка оригинальных IRF640NPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных IRF640NPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IRF640NPBF
Внутренний код
TCE000012924
Упаковка
TO-
Серия
HEXFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии158,101
Доступно212,345

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Voltage - Rated DC
200V
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Mounting Type
Through Hole
Termination
Through Hole
Mount
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Packaging
Tube
Number of Terminations
3
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
1999
Reflow Temperature-Max (s)
30
Height
19.8mm
Width
4.826mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Threshold Voltage
2V
Element Configuration
Single
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Peak Reflow Temperature (Cel)
250
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Length
10.668mm
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Max Junction Temperature (Tj)
175°C
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
72A
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Additional Feature
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Package / Case
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A Tc
Current Rating
18A
Continuous Drain Current (ID)
18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150m Ω @ 11A, 10V
Fall Time (Typ)
5.5 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1160pF @ 25V
Power Dissipation
150W
Avalanche Energy Rating (Eas)
247 mJ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Power Dissipation-Max
150W Tc
Resistance
150mOhm
Manufacturer's Part No.
IRF640NPBF
Recovery Time
241 ns

Product Parameter

Dual Supply Voltage
200V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
19ns
Turn On Delay Time
10 ns
Turn-Off Delay Time
23 ns

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not applicable
HTSUS
8541.29.0095

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.