Поставка оригинальных CSD19536KTT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

RoHS
Поставка оригинальных CSD19536KTT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD19536KTT

Внутренний код

TCE000050071

Упаковка

TO263

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Product Attribute

Lead Free

Contains Lead

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Reach Compliance Code
not_compliant
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Max Junction Temperature (Tj)
175°C
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
400A
Series
NexFET™
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Height
4.83mm
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Fall Time (Typ)
6 ns
Continuous Drain Current (ID)
200A
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250μA
Thickness
4.44mm
Package / Case
TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Width
8.41mm
Length
10.18mm
Power Dissipation-Max
375W Tc
Drain-source On Resistance-Max
0.0028Ohm
Power Dissipation
375W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200A Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4m Ω @ 100A, 10V
Manufacturer's Part No.
CSD19536KTT
Avalanche Energy Rating (Eas)
806 mJ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
153nC @ 10V
Base Part Number
CSD19536
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 50V
Turn On Delay Time
13 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
8ns
Turn-Off Delay Time
32 ns
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
2 (1 Year)
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD19536KTT, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD19536KTT?

CSD19536KTT — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD19536KTT?

Для CSD19536KTT указан корпус TO263. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 200A TO263. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD19536KTT в наличии?

Сейчас на странице указано 32303 шт. на складе и 32303 шт. доступно для CSD19536KTT. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD19536KTT?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD19536KTT от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD19536KTT?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD19536KTT от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом CSD19536KTT?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD19536KTT.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.