Поставка оригинальных BSB028N06NN3GXUMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных BSB028N06NN3GXUMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

BSB028N06NN3GXUMA1

Внутренний код

TCE000050251

Упаковка

-

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

OptiMOS™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для BSB028N06NN3GXUMA1 от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Packaging

Tape & Reel (TR)

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
26 Weeks
Halogen Free
Halogen Free
Published
2012
Qualification Status
Not Qualified
Terminal Form
NO LEAD
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-40°C~150°C TJ
Surface Mount
YES
Pbfree Code
yes
Pin Count
3
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Terminal Position
BOTTOM
Number of Terminations
3
Number of Pins
7
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Threshold Voltage
3V
Fall Time (Typ)
6 ns
Drain Current-Max (Abs) (ID)
22A
Series
OptiMOS™
Avalanche Energy Rating (Eas)
590 mJ
Drain-source On Resistance-Max
0.0028Ohm
Continuous Drain Current (ID)
90A
Power Dissipation
78W
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 102μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A Ta 90A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Package / Case
3-WDSON
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
360A
Power Dissipation-Max
2.2W Ta 78W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8m Ω @ 30A, 10V
Manufacturer's Part No.
BSB028N06NN3GXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 30V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-MBCC-N3
Turn On Delay Time
21 ns
Number of Elements
1
Rise Time
9ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Turn-Off Delay Time
38 ns
Terminal Finish
Silver/Nickel (Ag/Ni)

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют BSB028N06NN3GXUMA1, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое BSB028N06NN3GXUMA1?

BSB028N06NN3GXUMA1 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для BSB028N06NN3GXUMA1?

Для BSB028N06NN3GXUMA1 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли BSB028N06NN3GXUMA1 в наличии?

Сейчас на странице указано 98247 шт. на складе и 44326 шт. доступно для BSB028N06NN3GXUMA1. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для BSB028N06NN3GXUMA1?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для BSB028N06NN3GXUMA1 от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для BSB028N06NN3GXUMA1?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для BSB028N06NN3GXUMA1 от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом BSB028N06NN3GXUMA1?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для BSB028N06NN3GXUMA1.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.