Поставка оригинальных STB13NM60N, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных STB13NM60N, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

STB13NM60N

Внутренний код

TCE000050360

Упаковка

TO-263-3

Производитель

STMicroelectronics

Ключевые характеристики

Серия

MDmesh™ II

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для STB13NM60N от STMicroelectronics в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Packaging

Tape & Reel (TR)

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
26 Weeks
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Peak Reflow Temperature (Cel)
245
Manufacturer
STMicroelectronics
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
44A
Avalanche Energy Rating (Eas)
200 mJ
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Threshold Voltage
3V
Pin Count
4
Height
4.6mm
Lifecycle Status
NRND (Last Updated: 7 months ago)
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A Tc
Width
10.4mm
Fall Time (Typ)
10 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Length
10.75mm
Operating Temperature
150°C TJ
Continuous Drain Current (ID)
11A
Resistance
360mOhm
Power Dissipation
90W
Power Dissipation-Max
90W Tc
Series
MDmesh™ II
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360m Ω @ 5.5A, 10V
Manufacturer's Part No.
STB13NM60N
Base Part Number
STB13N
DS Breakdown Voltage-Min
600V
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
30 ns
Rise Time
8ns
Turn On Delay Time
3 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют STB13NM60N, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое STB13NM60N?

STB13NM60N — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от STMicroelectronics. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для STB13NM60N?

Для STB13NM60N указан корпус TO-263-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли STB13NM60N в наличии?

Сейчас на странице указано 38890 шт. на складе и 24775 шт. доступно для STB13NM60N. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для STB13NM60N?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для STB13NM60N от STMicroelectronics. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для STB13NM60N?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для STB13NM60N от STMicroelectronics, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом STB13NM60N?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для STB13NM60N.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.