Что такое IXFH20N60?
IXFH20N60 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от IXYS. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных IXFH20N60, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
HiPerFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для IXFH20N60 от IXYS в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Product Attribute
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Part Status
Obsolete
Published
2000
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Current Rating
20A
Weight
6g
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerFET™
Power Dissipation
300W
Power Dissipation-Max
300W Tc
Package / Case
TO-247-3
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Termination
Through Hole
Voltage - Rated DC
600V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Continuous Drain Current (ID)
20A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Fall Time (Typ)
40 ns
Nominal Vgs
4.5 V
Threshold Voltage
4.5V
HTS Code
8541.29.00.95
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
80A
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
IXFH20N60
Resistance
350MOhm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350m Ω @ 10A, 10V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e1
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Terminal Finish
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Rise Time
43ns
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
70 ns
Dual Supply Voltage
600V
Reverse Recovery Time
250 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IXFH20N60, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для IXFH20N60?
Для IXFH20N60 указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли IXFH20N60 в наличии?
Сейчас на странице указано 58277 шт. на складе и 25730 шт. доступно для IXFH20N60. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для IXFH20N60?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IXFH20N60 от IXYS. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для IXFH20N60?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IXFH20N60 от IXYS, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом IXFH20N60?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IXFH20N60.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
SUP85N10-10-E3
186 покупали
TO-220-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Ориентировочная цена
$1.30Добавить в список RFQ
IPD70N04S3-07
152 покупали
TO252
RoHS
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
FDN308P
206 покупали
SSOT-3
RoHS
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
Ориентировочная цена
$0.16Добавить в список RFQ
IRFR3710ZTRPBF
224 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Ориентировочная цена
$0.41Добавить в список RFQ
IRF540ZSPBF
176 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.