Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
STMicroelectronicsДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Поставка оригинальных STB8N65M5, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных STB8N65M5, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

STB8N65M5

Внутренний код

TCE000050367

Упаковка

TO-263-3

Производитель

STMicroelectronics

Ключевые характеристики

Серия

MDmesh™ V

Минимальное количество

1

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Подкатегория

Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Описание

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для STB8N65M5 от STMicroelectronics в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

20 ns

Product Parameter

Turn On Delay Time

50 ns

Product Parameter

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Rise Time

14ns

Product Attribute

Part Status

Active

Turn-Off Delay Time
20 ns
Turn On Delay Time
50 ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Number of Elements
1
Rise Time
14ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
17 Weeks
Terminal Form
GULL WING
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Element Configuration
Single
Peak Reflow Temperature (Cel)
245
Manufacturer
STMicroelectronics
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Pin Count
4
Height
4.6mm
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Threshold Voltage
4V
Power Dissipation-Max
70W Tc
Power Dissipation
70W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
28A
Continuous Drain Current (ID)
7A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A Tc
Drain Current-Max (Abs) (ID)
7A
Width
10.4mm
Fall Time (Typ)
11 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600m Ω @ 3.5A, 10V
Length
10.75mm
Operating Temperature
150°C TJ
Additional Feature
ULTRA-LOW RESISTANCE
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Series
MDmesh™ V
Base Part Number
STB8N
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
690pF @ 100V
Resistance
560mOhm
Manufacturer's Part No.
STB8N65M5
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют STB8N65M5, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое STB8N65M5?

STB8N65M5 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от STMicroelectronics. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для STB8N65M5?

Для STB8N65M5 указан корпус TO-263-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли STB8N65M5 в наличии?

Сейчас на странице указано 66487 шт. на складе и 66487 шт. доступно для STB8N65M5. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для STB8N65M5?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для STB8N65M5 от STMicroelectronics. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для STB8N65M5?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для STB8N65M5 от STMicroelectronics, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом STB8N65M5?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для STB8N65M5.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

Читать

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

Читать

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

Читать