Что такое SI2328DS-T1-E3?
SI2328DS-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI2328DS-T1-E3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI2328DS-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Published
2008
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Active
Published
2008
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Power Dissipation
730mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Nominal Vgs
2 V
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Subcategory
FET General Purpose Powers
Series
TrenchFET®
Height
1.12mm
Reflow Temperature-Max (s)
30
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Width
1.4mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Length
3.04mm
Resistance
250mOhm
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Threshold Voltage
4V
Weight
1.437803g
Fall Time (Typ)
11 ns
Manufacturer's Part No.
SI2328DS-T1-E3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.15A Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250m Ω @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Power Dissipation-Max
730mW Ta
Continuous Drain Current (ID)
1.15A
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
9 ns
Rise Time
11ns
Turn On Delay Time
7 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI2328DS-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI2328DS-T1-E3?
Для SI2328DS-T1-E3 указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI2328DS-T1-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 81680 шт. на складе и 28970 шт. доступно для SI2328DS-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI2328DS-T1-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI2328DS-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI2328DS-T1-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI2328DS-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI2328DS-T1-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI2328DS-T1-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRLR7833TRPBF
209 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
Ориентировочная цена
$0.47Добавить в список RFQ
FDMS86550
143 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 8MLP
Ориентировочная цена
$25.00Добавить в список RFQ
STD5NM60T4
146 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Ориентировочная цена
$2.21Добавить в список RFQ
FQB6N80TM
221 покупали
TO-263
RoHS
Datasheet
N-Channel 800V 5.8A 5V @ 250uA 1.95Ω @ 2.9A,10V 3.13W TO-263-3 MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$2.78Добавить в список RFQ
SIR440DP-T1-GE3
202 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$0.76Добавить в список RFQ
IRF5801TRPBF
172 покупали
TSOP
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
Ориентировочная цена
$0.33Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.