Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
VishayДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Поставка оригинальных SIR438DP-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных SIR438DP-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

SIR438DP-T1-GE3

Внутренний код

TCE000050385

Упаковка

-

Производитель

Vishay

Ключевые характеристики

Серия

TrenchFET®

Минимальное количество

1

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Подкатегория

Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Описание

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для SIR438DP-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

JESD-30 Code

R-XDSO-C5

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-XDSO-C5
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
21ns
Turn On Delay Time
37 ns
Turn-Off Delay Time
41 ns
Part Status
Active
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Published
2013
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Nominal Vgs
1 V
Terminal Form
C BEND
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250μA
Weight
506.605978mg
Series
TrenchFET®
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Length
4.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Fall Time (Typ)
20 ns
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Drain-source On Resistance-Max
0.0023Ohm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A Tc
Continuous Drain Current (ID)
60A
Height
1.04mm
Width
5.89mm
Power Dissipation
5.4W
Power Dissipation-Max
5.4W Ta 83W Tc
Drain Current-Max (Abs) (ID)
40A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 10V
Manufacturer's Part No.
SIR438DP-T1-GE3

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIR438DP-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое SIR438DP-T1-GE3?

SIR438DP-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для SIR438DP-T1-GE3?

Для SIR438DP-T1-GE3 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли SIR438DP-T1-GE3 в наличии?

Сейчас на странице указано 93656 шт. на складе и 93656 шт. доступно для SIR438DP-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для SIR438DP-T1-GE3?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIR438DP-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для SIR438DP-T1-GE3?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIR438DP-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом SIR438DP-T1-GE3?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIR438DP-T1-GE3.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

Читать

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

Читать

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

Читать