Что такое SIR890DP-T1-GE3?
SIR890DP-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIR890DP-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIR890DP-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
MATTE TIN
Product Parameter
Rise Time
18ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
30 ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
40 ns
Terminal Finish
MATTE TIN
Rise Time
18ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
30 ns
Turn-Off Delay Time
40 ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
15 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Published
2013
Manufacturer
Vishay
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Terminal Form
C BEND
Weight
506.605978mg
Series
TrenchFET®
Power Dissipation
5W
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Length
4.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Fall Time (Typ)
25 ns
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
70A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A Tc
Continuous Drain Current (ID)
50A
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Threshold Voltage
2.6V
Height
1.04mm
Width
5.89mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Power Dissipation-Max
5W Ta 50W Tc
Drain Current-Max (Abs) (ID)
30A
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250μA
Manufacturer's Part No.
SIR890DP-T1-GE3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9m Ω @ 10A, 10V
Resistance
2.9mOhm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2747pF @ 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-C5
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIR890DP-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIR890DP-T1-GE3?
Для SIR890DP-T1-GE3 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIR890DP-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 12307 шт. на складе и 12307 шт. доступно для SIR890DP-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIR890DP-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIR890DP-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIR890DP-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIR890DP-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIR890DP-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIR890DP-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
BSP149H6327XTSA1
223 покупали
SOT-223
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Ориентировочная цена
$0.94Добавить в список RFQ
IRFB41N15DPBF
133 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
Ориентировочная цена
$1.15Добавить в список RFQ
STB45NF06T4
165 покупали
TO-263-4
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.80Добавить в список RFQ
STB13NM60N
218 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.21Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.