Что такое FDD6630A?
FDD6630A — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDD6630A, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDD6630A от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
2001
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Terminal Form
GULL WING
Current Rating
21A
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Length
6.73mm
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Series
PowerTrench®
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Voltage - Rated DC
30V
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Fall Time (Typ)
13 ns
Nominal Vgs
1.7 V
Weight
260.37mg
Resistance
35MOhm
Avalanche Energy Rating (Eas)
55 mJ
Continuous Drain Current (ID)
21A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35m Ω @ 7.6A, 10V
Power Dissipation-Max
28W Ta
Power Dissipation
28W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
462pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A Ta
Manufacturer's Part No.
FDD6630A
Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
17 ns
Number of Elements
1
Rise Time
8ns
Turn On Delay Time
5 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDD6630A, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDD6630A?
Для FDD6630A указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDD6630A в наличии?
Сейчас на странице указано 83013 шт. на складе и 33683 шт. доступно для FDD6630A. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDD6630A?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDD6630A от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDD6630A?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDD6630A от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDD6630A?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDD6630A.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDC606P
225 покупали
SSOT-6
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
FDMS7650DC
180 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
Ориентировочная цена
$1.58Добавить в список RFQ
IRF8010STRLPBF
142 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.72Добавить в список RFQ
IRFZ46NLPBF
164 покупали
TO262
RoHS
Datasheet
TO262 Pre-ordered transistors RoHS
Ориентировочная цена
$0.52Добавить в список RFQ
IRFS4010-7PPBF
169 покупали
TO-263-7
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
FDMS7670
209 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 21A POWER56
Ориентировочная цена
$0.25Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.