Поставка оригинальных FDT3N40TF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных FDT3N40TF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FDT3N40TF

Внутренний код

TCE000050730

Упаковка

SOT-223

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

UniFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FDT3N40TF от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Factory Lead Time
24 Weeks
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Weight
188mg
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Avalanche Energy Rating (Eas)
46 mJ
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Vgs (Max)
±30V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
4
Length
6.5mm
Height
1.6mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Fall Time (Typ)
25 ns
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Width
3.5mm
Power Dissipation
2W
Threshold Voltage
5V
Series
UniFET™
Drain Current-Max (Abs) (ID)
2A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A Tc
Continuous Drain Current (ID)
2A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
8A
Drain to Source Breakdown Voltage
400V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4 Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
FDT3N40TF
Power Dissipation-Max
2W Tc
Turn-Off Delay Time
10 ns
Number of Elements
1
Rise Time
30ns
Turn On Delay Time
10 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-PDSO-G4
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDT3N40TF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FDT3N40TF?

FDT3N40TF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FDT3N40TF?

Для FDT3N40TF указан корпус SOT-223. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FDT3N40TF в наличии?

Сейчас на странице указано 72061 шт. на складе и 16600 шт. доступно для FDT3N40TF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FDT3N40TF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDT3N40TF от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FDT3N40TF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDT3N40TF от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FDT3N40TF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDT3N40TF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.