Что такое BSS138TA?
BSS138TA — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Diodes Incorporated. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Diodes IncorporatedДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных BSS138TA, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для BSS138TA от Diodes Incorporated в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.21.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Turn-Off Delay Time
20 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
20 ns
Rise Time
10ns
Published
2008
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Obsolete
Packaging
Cut Tape (CT)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Power Dissipation
360mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight
7.994566mg
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Contact Plating
Tin
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Length
2.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Height
1mm
Number of Terminations
3
Current Rating
200mA
Threshold Voltage
1.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Width
1.3mm
Voltage - Rated DC
50V
Nominal Vgs
1.5 V
Fall Time (Typ)
10 ns
Resistance
3.5Ohm
Power Dissipation-Max
300mW Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ω @ 220mA, 10V
Continuous Drain Current (ID)
200mA
Drain to Source Breakdown Voltage
50V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200mA Ta
Feedback Cap-Max (Crss)
8 pF
Manufacturer's Part No.
BSS138TA
Drain Current-Max (Abs) (ID)
0.2A
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют BSS138TA, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для BSS138TA?
Для BSS138TA указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли BSS138TA в наличии?
Сейчас на странице указано 13925 шт. на складе и 13925 шт. доступно для BSS138TA. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для BSS138TA?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для BSS138TA от Diodes Incorporated. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для BSS138TA?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для BSS138TA от Diodes Incorporated, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом BSS138TA?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для BSS138TA.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDV305N
203 покупали
SOT-23
RoHS
MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23
Ориентировочная цена
$0.05Добавить в список RFQ
IRF3415STRLPBF
222 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.97Добавить в список RFQ
IRL1004SPBF
217 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.90Добавить в список RFQ
SIR172DP-T1-GE3
193 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$0.30Добавить в список RFQ
STD15NF10T4
197 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Ориентировочная цена
$5.60Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.