Что такое FQP65N06?
FQP65N06 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FQP65N06, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
QFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FQP65N06 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Factory Lead Time
5 Weeks
Published
2001
Height
9.4mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation
150W
Power Dissipation-Max
150W Tc
Weight
1.8g
Series
QFET®
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Number of Terminations
3
Length
10.1mm
Width
4.7mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Voltage - Rated DC
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Resistance
16MOhm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
260A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Fall Time (Typ)
105 ns
Continuous Drain Current (ID)
65A
Avalanche Energy Rating (Eas)
650 mJ
Manufacturer's Part No.
FQP65N06
Current Rating
65A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
65A Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16m Ω @ 32.5A, 10V
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Turn-Off Delay Time
90 ns
Terminal Finish
Tin (Sn)
Rise Time
160ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
20 ns
Dual Supply Voltage
60V
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQP65N06, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FQP65N06?
Для FQP65N06 указан корпус TO-220. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 65A TO-220. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FQP65N06 в наличии?
Сейчас на странице указано 39294 шт. на складе и 39294 шт. доступно для FQP65N06. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FQP65N06?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQP65N06 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FQP65N06?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQP65N06 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FQP65N06?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQP65N06.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
SPB18P06PGATMA1
136 покупали
TO-263
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
Ориентировочная цена
$0.58Добавить в список RFQ
IRF644SPBF
226 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.31Добавить в список RFQ
SI2343DS-T1-GE3
128 покупали
SOT-23
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23
Ориентировочная цена
$0.20Добавить в список RFQ
IRF1407STRLPBF
149 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.75Добавить в список RFQ
FQB6N40CTM
147 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.95Добавить в список RFQ
NTLJF4156NT1G
216 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Ориентировочная цена
$3.29Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.