Что такое NTD2955G?
NTD2955G — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных NTD2955G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для NTD2955G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
2005
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Mounting Type
Surface Mount
Published
2005
Part Status
Obsolete
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Drain to Source Breakdown Voltage
-60V
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Length
6.73mm
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Height
2.38mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Current Rating
-12A
Voltage - Rated DC
-60V
Fall Time (Typ)
48 ns
Lifecycle Status
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID)
12A
Threshold Voltage
-2.8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180m Ω @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A Ta
Power Dissipation
55W
Power Dissipation-Max
55W Tj
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 25V
Nominal Vgs
-2.8 V
Resistance
155MOhm
Manufacturer's Part No.
NTD2955G
Terminal Finish
Tin (Sn)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
26 ns
Turn On Delay Time
10 ns
Rise Time
45ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NTD2955G, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для NTD2955G?
Для NTD2955G указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли NTD2955G в наличии?
Сейчас на странице указано 27628 шт. на складе и 24541 шт. доступно для NTD2955G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для NTD2955G?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NTD2955G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для NTD2955G?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NTD2955G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом NTD2955G?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NTD2955G.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRLU2905ZPBF
179 покупали
TO-251-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
FDMS86300DC
179 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
Ориентировочная цена
$1.85Добавить в список RFQ
FDMC8327L
225 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 40V 12A 8MLP
Ориентировочная цена
$0.37Добавить в список RFQ
IRFH7932TRPBF
151 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Ориентировочная цена
$0.34Добавить в список RFQ
CSD16411Q3
165 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Ориентировочная цена
$0.20Добавить в список RFQ
IRFR9N20DTRPBF
191 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Ориентировочная цена
$0.41Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.