Поставка оригинальных NTF2955T1G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных NTF2955T1G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NTF2955T1G

Внутренний код

TCE000051725

Упаковка

SOT-223

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для NTF2955T1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

The NTF2955T1G is a P-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by ON Semiconductor. This device is designed for use in various applications, including power management, switching, and amplification. Below is a detailed description of its key features and specifications:

General Description:

  • Type: P-channel MOSFET
  • Package: Typically available in a surface-mount package, such as the SOT-23, which is compact and suitable for space-constrained applications.
  • Configuration: The NTF2955T1G features a single transistor configuration, allowing for easy integration into circuits.

Electrical Characteristics:

  • Drain-Source Voltage (V_DS): The maximum voltage that can be applied between the drain and source terminals is typically around -30V. This makes it suitable for applications that require moderate voltage handling.
  • Gate-Source Voltage (V_GS): The maximum gate-source voltage is usually around ±20V, which allows for flexibility in driving the MOSFET.
  • Continuous Drain Current (I_D): The device can handle a continuous drain current of up to -3.5A, making it capable of driving moderate loads.
  • On-Resistance (R_DS(on)): The on-resistance is typically low, around 0.5 ohms at a specified gate-source voltage, which helps in reducing power losses during operation.

Performance Characteristics:

  • Switching Speed: The NTF2955T1G is designed for fast switching applications, with a low gate charge (Q_g) that allows for quick turn-on and turn-off times.
  • Thermal Resistance: The device has a thermal resistance rating that allows it to operate efficiently without overheating, making it suitable for high-temperature environments.

Applications:

  • Power Management: Ideal for use in power supply circuits, battery management systems, and DC-DC converters.
  • Load Switching: Can be used for switching loads in various electronic devices, including consumer electronics and industrial applications.
  • Signal Switching: Suitable for applications requiring signal switching, such as audio and video equipment.

Additional Features:

  • RoHS Compliant: The NTF2955T1G is compliant with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive, making it environmentally friendly.
  • High Reliability: Designed for high reliability and longevity, suitable for automotive and industrial applications.

Conclusion:

The NTF2955T1G from ON Semiconductor is a versatile P-channel MOSFET that combines efficient performance with a compact design. Its specifications make it suitable for a wide range of applications, particularly in power management and load switching scenarios. With its low on-resistance and fast switching capabilities, it is an excellent choice for engineers looking to optimize their circuit designs.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

Tin (Sn)

Product Parameter

Turn On Delay Time

11 ns

Product Parameter

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

40

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

65 ns

Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn On Delay Time
11 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Number of Elements
1
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
40
Turn-Off Delay Time
65 ns
Rise Time
7.6ns
Part Status
Active
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Factory Lead Time
8 Weeks
Packaging
Cut Tape (CT)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Drain to Source Breakdown Voltage
-60V
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Threshold Voltage
-4V
Power Dissipation-Max
1W Ta
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
4
Length
6.5mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Number of Pins
4
Pin Count
4
Power Dissipation
2.3W
Width
3.5mm
Continuous Drain Current (ID)
2.6A
Voltage - Rated DC
-60V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Fall Time (Typ)
38 ns
Height
1.57mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.7A Ta
Manufacturer's Part No.
NTF2955T1G
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185m Ω @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
492pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.3nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
225 mJ
Resistance
145MOhm
Current Rating
-2.6A
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NTF2955T1G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NTF2955T1G?

NTF2955T1G — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NTF2955T1G?

Для NTF2955T1G указан корпус SOT-223. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NTF2955T1G в наличии?

Сейчас на странице указано 61166 шт. на складе и 23653 шт. доступно для NTF2955T1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NTF2955T1G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NTF2955T1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NTF2955T1G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NTF2955T1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом NTF2955T1G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NTF2955T1G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.