Поставка оригинальных SI3458BDV-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных SI3458BDV-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

SI3458BDV-T1-GE3

Внутренний код

TCE000053320

Упаковка

TSOP

Производитель

Vishay

Ключевые характеристики

Серия

TrenchFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для SI3458BDV-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2011
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Nominal Vgs
3 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Series
TrenchFET®
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Height
1mm
Threshold Voltage
3V
Length
3.05mm
Power Dissipation
2W
Resistance
100mOhm
Weight
19.986414mg
Width
1.65mm
Fall Time (Typ)
10 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 30V
Power Dissipation-Max
2W Ta 3.3W Tc
Continuous Drain Current (ID)
3.2A
Manufacturer's Part No.
SI3458BDV-T1-GE3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.1A Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100m Ω @ 3.2A, 10V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
5 ns
Rise Time
12ns
Turn-Off Delay Time
18 ns
Terminal Finish
Pure Matte Tin (Sn)

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI3458BDV-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое SI3458BDV-T1-GE3?

SI3458BDV-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для SI3458BDV-T1-GE3?

Для SI3458BDV-T1-GE3 указан корпус TSOP. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли SI3458BDV-T1-GE3 в наличии?

Сейчас на странице указано 65904 шт. на складе и 44397 шт. доступно для SI3458BDV-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для SI3458BDV-T1-GE3?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI3458BDV-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для SI3458BDV-T1-GE3?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI3458BDV-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом SI3458BDV-T1-GE3?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI3458BDV-T1-GE3.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.