Что такое FCP20N60?
FCP20N60 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FCP20N60, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
SuperFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FCP20N60 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
62 ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
230 ns
Product Parameter
Rise Time
140ns
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
62 ns
Turn-Off Delay Time
230 ns
Rise Time
140ns
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
4 Weeks
Published
2013
Length
10.67mm
Element Configuration
Single
Part Status
Not For New Designs
Manufacturer
ON Semiconductor
Current Rating
20A
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Weight
1.8g
Vgs (Max)
±30V
Resistance
190MOhm
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Number of Terminations
3
Width
4.7mm
Voltage - Rated DC
600V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Lifecycle Status
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
Height
16.3mm
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Continuous Drain Current (ID)
20A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
60A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Series
SuperFET™
Nominal Vgs
5 V
Threshold Voltage
5V
Fall Time (Typ)
65 ns
Avalanche Energy Rating (Eas)
690 mJ
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Power Dissipation
208W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3080pF @ 25V
Power Dissipation-Max
208W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190m Ω @ 10A, 10V
Manufacturer's Part No.
FCP20N60
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FCP20N60, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FCP20N60?
Для FCP20N60 указан корпус TO-220. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FCP20N60 в наличии?
Сейчас на странице указано 78126 шт. на складе и 15142 шт. доступно для FCP20N60. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FCP20N60?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FCP20N60 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FCP20N60?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FCP20N60 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FCP20N60?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FCP20N60.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFH7932TRPBF
151 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Ориентировочная цена
$0.34Добавить в список RFQ
FDS6576
151 покупали
8SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Ориентировочная цена
$0.56Добавить в список RFQ
FDN342P
189 покупали
SSOT-3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3
Ориентировочная цена
$0.13Добавить в список RFQ
FCP16N60
158 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
Ориентировочная цена
$1.35Добавить в список RFQ
FDN357N
225 покупали
SSOT3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
Ориентировочная цена
$0.14Добавить в список RFQ
IRLL014NTRPBF
207 покупали
SOT223
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Ориентировочная цена
$0.12Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.