Что такое FCP16N60N?
FCP16N60N — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FCP16N60N, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
SupreMOS™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FCP16N60N от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2009
Qualification Status
Not Qualified
Length
10.67mm
Height
9.4mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Nominal Vgs
2 V
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Weight
1.8g
Vgs (Max)
±30V
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Continuous Drain Current (ID)
16A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A Tc
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
48A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Threshold Voltage
2V
Width
4.83mm
Series
SupreMOS™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2170pF @ 100V
Fall Time (Typ)
20.2 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs
199m Ω @ 8A, 10V
Resistance
199mOhm
Manufacturer's Part No.
FCP16N60N
Power Dissipation
134.4W
Power Dissipation-Max
134.4W Tc
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Rise Time
15.5ns
Turn On Delay Time
15.8 ns
Turn-Off Delay Time
60.3 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FCP16N60N, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FCP16N60N?
Для FCP16N60N указан корпус TO-220. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FCP16N60N в наличии?
Сейчас на странице указано 57343 шт. на складе и 47294 шт. доступно для FCP16N60N. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FCP16N60N?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FCP16N60N от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FCP16N60N?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FCP16N60N от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FCP16N60N?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FCP16N60N.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDB8445
175 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.12Добавить в список RFQ
IRF4905PBF
215 покупали
TO220
RoHS
Datasheet
TO220 MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.27Добавить в список RFQ
DMP2305U-7
170 покупали
SOT-23
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23
Ориентировочная цена
$0.02Добавить в список RFQ
FDMA908PZ
188 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
Ориентировочная цена
$1.95Добавить в список RFQ
FQB34N20LTM
142 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.69Добавить в список RFQ
FDN337N
129 покупали
SSOT3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
Ориентировочная цена
$0.07Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.