Поставка оригинальных FDP038AN06A0, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных FDP038AN06A0, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FDP038AN06A0

Внутренний код

TCE000053411

Упаковка

TO-

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

PowerTrench®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FDP038AN06A0 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn On Delay Time

17 ns

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

34 ns

Product Parameter

Rise Time

144ns

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

Mounting Type

Through Hole

Number of Elements
1
Turn On Delay Time
17 ns
Turn-Off Delay Time
34 ns
Rise Time
144ns
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
9 Weeks
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Published
2013
Length
10.67mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Weight
1.8g
Power Dissipation
310W
Power Dissipation-Max
310W Tc
Series
PowerTrench®
Current Rating
80A
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Voltage - Rated DC
60V
Threshold Voltage
4V
Continuous Drain Current (ID)
80A
Fall Time (Typ)
60 ns
Height
9.65mm
Width
4.83mm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
124nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
625 mJ
Resistance
3.8MOhm
Manufacturer's Part No.
FDP038AN06A0
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A Ta 80A Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8m Ω @ 80A, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDP038AN06A0, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FDP038AN06A0?

FDP038AN06A0 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FDP038AN06A0?

Для FDP038AN06A0 указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FDP038AN06A0 в наличии?

Сейчас на странице указано 23735 шт. на складе и 23735 шт. доступно для FDP038AN06A0. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FDP038AN06A0?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDP038AN06A0 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FDP038AN06A0?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDP038AN06A0 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FDP038AN06A0?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDP038AN06A0.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.