Что такое MTW32N20EG?
MTW32N20EG — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных MTW32N20EG, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для MTW32N20EG от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Product Attribute
Published
2006
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Published
2006
Part Status
Obsolete
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5000pF @ 25V
Power Dissipation-Max
180W Tc
Power Dissipation
180W
Package / Case
TO-247-3
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Width
5.3mm
Voltage - Rated DC
200V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Current Rating
32A
Resistance
75mOhm
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Length
15.9mm
Lifecycle Status
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Height
20.3mm
Continuous Drain Current (ID)
32A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A Tc
Fall Time (Typ)
91 ns
JEDEC-95 Code
TO-247AE
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75m Ω @ 16A, 10V
Manufacturer's Part No.
MTW32N20EG
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Turn-Off Delay Time
75 ns
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
25 ns
Rise Time
120ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют MTW32N20EG, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для MTW32N20EG?
Для MTW32N20EG указан корпус TO247. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 200V 32A TO247. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли MTW32N20EG в наличии?
Сейчас на странице указано 10209 шт. на складе и 10209 шт. доступно для MTW32N20EG. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для MTW32N20EG?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для MTW32N20EG от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для MTW32N20EG?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для MTW32N20EG от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом MTW32N20EG?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для MTW32N20EG.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FCD600N60Z
175 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
Ориентировочная цена
$0.61Добавить в список RFQ
HUF75545P3
133 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB
Ориентировочная цена
$1.00Добавить в список RFQ
FDN304PZ
142 покупали
SSOT-3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3
Ориентировочная цена
$0.47Добавить в список RFQ
DMP2035UVT-7
191 покупали
SOT-23-6
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Ориентировочная цена
$0.04Добавить в список RFQ
IRFI540NPBF
170 покупали
TO-220-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP
Ориентировочная цена
$0.31Добавить в список RFQ
IRFR5505TRPBF
151 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Ориентировочная цена
$0.17Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.