MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Номер детали
IPD088N06N3GBTMA1
Внутренний код
TCE000055055
Упаковка
TO252
Производитель
Infineon TechnologiesКлючевые характеристики
Серия
OptiMOS™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Изучите актуальный datasheet для IPD088N06N3GBTMA1 от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Полная техническая структура
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Published
2008
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Contains Lead
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Частые вопросы
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IPD088N06N3GBTMA1, наличие, документацию и процесс закупки.
IPD088N06N3GBTMA1 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Для IPD088N06N3GBTMA1 указан корпус TO252. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Сейчас на странице указано 27500 шт. на складе и 27500 шт. доступно для IPD088N06N3GBTMA1. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IPD088N06N3GBTMA1 от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IPD088N06N3GBTMA1 от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IPD088N06N3GBTMA1.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Еще материалы по закупкам
1 июл. 2026 г.
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.