Поставка оригинальных IRF7342TRPBF, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Infineon Technologies

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных IRF7342TRPBF, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRF7342TRPBF

Внутренний код

TCE000055092

Упаковка

8-SOIC

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRF7342TRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

The IRF7342TRPBF is a N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Infineon Technologies. It is designed for high-efficiency power management applications, making it suitable for a variety of uses in power supplies, motor control, and other electronic circuits.

Key Features:

  1. Type: N-channel MOSFET
  2. Package: The device is typically housed in a TO-220 package, which provides good thermal performance and is suitable for mounting on heatsinks.
  3. Voltage Rating: The IRF7342TRPBF has a maximum drain-source voltage (V_DS) rating of 40V, allowing it to handle a wide range of applications without risk of breakdown.
  4. Current Rating: It can handle continuous drain currents (I_D) of up to 50A, making it capable of driving high loads efficiently.
  5. R_DS(on): The on-resistance (R_DS(on)) is low, typically around 0.025 ohms at a gate-source voltage (V_GS) of 10V. This low resistance minimizes power loss during operation, enhancing overall efficiency.
  6. Gate Threshold Voltage (V_GS(th)): The gate threshold voltage is typically between 2V to 4V, which allows for easy interfacing with low-voltage control signals.
  7. Switching Speed: The IRF7342TRPBF features fast switching capabilities, which is essential for applications requiring rapid on/off control, such as in PWM (Pulse Width Modulation) circuits.
  8. Thermal Characteristics: The device has a high thermal conductivity, allowing it to dissipate heat effectively. It has a maximum junction temperature (T_J) rating of 175°C, which provides a robust operating range.
  9. Applications: Common applications include DC-DC converters, power inverters, motor drivers, and other high-frequency switching applications.

Electrical Characteristics:

  • Gate-Source Voltage (V_GS): Maximum ±20V
  • Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS): 40V
  • Total Gate Charge (Q_g): Typically around 30 nC, which influences the drive requirements for the gate.
  • Body Diode Characteristics: The IRF7342TRPBF includes an intrinsic body diode, which allows for reverse current flow and can be beneficial in certain applications.

Reliability and Compliance:

The IRF7342TRPBF is designed to meet stringent quality and reliability standards, making it suitable for automotive and industrial applications. It is also RoHS compliant, ensuring that it is free from hazardous substances.

Conclusion:

The IRF7342TRPBF from Infineon Technologies is a versatile and efficient N-channel MOSFET that is well-suited for a variety of power management applications. Its combination of high current handling, low on-resistance, and fast switching capabilities makes it an excellent choice for engineers looking to optimize their designs for performance and efficiency.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Product Parameter

Number of Channels

2

Product Parameter

Number of Elements

2

Product Parameter

Turn On Delay Time

14 ns

Product Parameter

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Product Parameter

Rise Time

10ns

FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Turn On Delay Time
14 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Rise Time
10ns
FET Feature
Logic Level Gate
Turn-Off Delay Time
43 ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
1999
Packaging
Tape & Reel (TR)
Width
3.9878mm
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.75mm
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Max Power Dissipation
2W
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Voltage - Rated DC
-55V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Resistance
105mOhm
Length
4.9784mm
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Element Configuration
Dual
Power Dissipation
2W
Row Spacing
6.3 mm
Drain to Source Breakdown Voltage
-55V
Nominal Vgs
-1 V
Threshold Voltage
-1V
Additional Feature
ULTRA LOW RESISTANCE
Current Rating
-3.4A
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fall Time (Typ)
22 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Recovery Time
80 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105m Ω @ 3.4A, 10V
Continuous Drain Current (ID)
-3.4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.4A
Avalanche Energy Rating (Eas)
114 mJ
Base Part Number
IRF7342PBF
Manufacturer's Part No.
IRF7342TRPBF
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRF7342TRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRF7342TRPBF?

IRF7342TRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRF7342TRPBF?

Для IRF7342TRPBF указан корпус 8-SOIC. Текущее описание товара: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRF7342TRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 56038 шт. на складе и 14174 шт. доступно для IRF7342TRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRF7342TRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRF7342TRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRF7342TRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRF7342TRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRF7342TRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRF7342TRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.