Что такое FQD5N60CTM?
FQD5N60CTM — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FQD5N60CTM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
QFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FQD5N60CTM от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
10 ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
38 ns
Product Parameter
Rise Time
42ns
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
10 ns
Turn-Off Delay Time
38 ns
Rise Time
42ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Current Rating
5A
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
7 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Published
2013
Element Configuration
Single
Resistance
2.5Ohm
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Length
6.73mm
Series
QFET®
Vgs (Max)
±30V
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Power Dissipation
2.5W
Voltage - Rated DC
600V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Threshold Voltage
4V
Fall Time (Typ)
46 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Weight
260.37mg
Continuous Drain Current (ID)
2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 49W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ω @ 1.4A, 10V
Manufacturer's Part No.
FQD5N60CTM
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.8A Tc
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQD5N60CTM, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FQD5N60CTM?
Для FQD5N60CTM указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FQD5N60CTM в наличии?
Сейчас на странице указано 20295 шт. на складе и 15832 шт. доступно для FQD5N60CTM. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FQD5N60CTM?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQD5N60CTM от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FQD5N60CTM?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQD5N60CTM от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FQD5N60CTM?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQD5N60CTM.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
NTD18N06LT4G
192 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Ориентировочная цена
$1.15Добавить в список RFQ
IRFR13N20DTRPBF
181 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Ориентировочная цена
$0.43Добавить в список RFQ
IRFP2907PBF
199 покупали
TO-247-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Ориентировочная цена
$1.46Добавить в список RFQ
IRL540NPBF
180 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.48Добавить в список RFQ
FDMS3662
197 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
Ориентировочная цена
$2.36Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.