Поставка оригинальных AUIRFR1018E, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 79A DPAK

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных AUIRFR1018E, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

AUIRFR1018E

Внутренний код

TCE000055559

Упаковка

TO-252-3

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 60V 79A DPAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для AUIRFR1018E от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 60V 79A DPAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Packaging

Tube

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Published

2011

Product Attribute

Part Status

Discontinued

REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Packaging
Tube
Mounting Type
Surface Mount
Published
2011
Part Status
Discontinued
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Power Dissipation
110W
Power Dissipation-Max
110W Tc
Length
6.73mm
Reflow Temperature-Max (s)
30
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Fall Time (Typ)
46 ns
Threshold Voltage
2V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100μA
Additional Feature
ULTRA-LOW RESISTANCE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A Tc
Continuous Drain Current (ID)
56A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
88 mJ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4m Ω @ 47A, 10V
Drain-source On Resistance-Max
0.0084Ohm
Manufacturer's Part No.
AUIRFR1018E
Base Part Number
AUIRFR1018E
Drain Current-Max (Abs) (ID)
79A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Turn On Delay Time
13 ns
Number of Elements
1
Rise Time
35ns
Turn-Off Delay Time
55 ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют AUIRFR1018E, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое AUIRFR1018E?

AUIRFR1018E — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для AUIRFR1018E?

Для AUIRFR1018E указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 79A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли AUIRFR1018E в наличии?

Сейчас на странице указано 51789 шт. на складе и 47744 шт. доступно для AUIRFR1018E. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для AUIRFR1018E?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для AUIRFR1018E от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для AUIRFR1018E?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для AUIRFR1018E от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом AUIRFR1018E?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для AUIRFR1018E.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.