Что такое FDB3652?
FDB3652 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDB3652, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDB3652 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Factory Lead Time
36 Weeks
Element Configuration
Single
Part Status
Not For New Designs
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation
150W
Power Dissipation-Max
150W Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Series
PowerTrench®
Weight
1.31247g
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Reflow Temperature-Max (s)
30
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Width
6.35mm
Voltage - Rated DC
100V
Height
6.35mm
Length
6.35mm
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Threshold Voltage
4V
Resistance
16MOhm
Fall Time (Typ)
45 ns
Drain Current-Max (Abs) (ID)
9A
Current Rating
61A
Continuous Drain Current (ID)
61A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2880pF @ 25V
Lifecycle Status
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 20 hours ago)
Manufacturer's Part No.
FDB3652
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A Ta 61A Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16m Ω @ 61A, 10V
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
26 ns
Turn On Delay Time
12 ns
Rise Time
85ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDB3652, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDB3652?
Для FDB3652 указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDB3652 в наличии?
Сейчас на странице указано 67009 шт. на складе и 67009 шт. доступно для FDB3652. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDB3652?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDB3652 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDB3652?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDB3652 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDB3652?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDB3652.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFZ44NSTRLPBF
202 покупали
TO-263-3
RoHS
N-Channel 55V 49A 4V @ 250uA 17.5mΩ @ 25A,10V 3.8W D2-PAK MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.46Добавить в список RFQ
IRFU120NPBF
220 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.12Добавить в список RFQ
FDN359AN
146 покупали
SSOT-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
Ориентировочная цена
$0.25Добавить в список RFQ
FDB2614
224 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.72Добавить в список RFQ
STB60NF06LT4
201 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.34Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.