Поставка оригинальных CSD19532KTT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных CSD19532KTT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD19532KTT

Внутренний код

TCE000055696

Упаковка

TO-263-4

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для CSD19532KTT от Texas Instruments в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

CSD19532KTT is a specific model of a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Texas Instruments. This component is designed for high-efficiency applications, particularly in power management and switching circuits.

Key Features:

  1. Type: N-channel MOSFET
  2. Voltage Rating: Typically, it has a high breakdown voltage, often around 30V, making it suitable for various applications where voltage levels can fluctuate.
  3. Current Rating: The device can handle significant current levels, often rated at around 50A, which allows it to be used in high-power applications.
  4. RDS(on): The on-resistance is low, usually in the range of a few milliohms, which minimizes power loss during operation and enhances efficiency.
  5. Package Type: It is commonly available in a TO-220 or similar package, which provides good thermal performance and ease of mounting on PCBs (Printed Circuit Boards).
  6. Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage is typically low, allowing for easy drive with standard logic levels.
  7. Switching Speed: The device is designed for fast switching, making it ideal for applications such as DC-DC converters, motor drivers, and other power management systems.

Applications:

  • Power Supply Circuits: Used in switch-mode power supplies (SMPS) for efficient voltage regulation.
  • Motor Control: Suitable for driving motors in various applications, including robotics and industrial automation.
  • Battery Management Systems: Employed in systems that require efficient power distribution and management, such as in electric vehicles and renewable energy systems.
  • Consumer Electronics: Found in devices that require compact and efficient power management solutions.

Performance Characteristics:

  • Thermal Resistance: The device typically has a low thermal resistance, allowing it to dissipate heat effectively, which is crucial for maintaining performance and reliability in high-power applications.
  • Safe Operating Area (SOA): The CSD19532KTT is designed to operate within a specified safe operating area, ensuring reliability under various load conditions.

Conclusion:

The CSD19532KTT from Texas Instruments is a robust and efficient power MOSFET that is well-suited for a wide range of applications requiring high efficiency and reliability. Its combination of high current handling, low on-resistance, and fast switching capabilities makes it a popular choice among engineers and designers in the power electronics field.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

2 (1 Year)

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

Product Parameter

Number of Elements

1

JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
2 (1 Year)
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
9 ns
Turn-Off Delay Time
14 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Rise Time
3ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Reach Compliance Code
not_compliant
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
400A
Series
NexFET™
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Height
4.83mm
Fall Time (Typ)
2 ns
Continuous Drain Current (ID)
200A
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250μA
Base Part Number
CSD19532
Power Dissipation-Max
250W Tc
Thickness
4.44mm
Avalanche Energy Rating (Eas)
259 mJ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Package / Case
TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Width
8.41mm
Length
10.18mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200A Ta
DS Breakdown Voltage-Min
100V
Manufacturer's Part No.
CSD19532KTT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5060pF @ 50V
Feedback Cap-Max (Crss)
18 pF
Drain-source On Resistance-Max
0.0066Ohm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6m Ω @ 90A, 10V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD19532KTT, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD19532KTT?

CSD19532KTT — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD19532KTT?

Для CSD19532KTT указан корпус TO-263-4. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD19532KTT в наличии?

Сейчас на странице указано 66715 шт. на складе и 66715 шт. доступно для CSD19532KTT. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD19532KTT?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD19532KTT от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD19532KTT?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для CSD19532KTT от Texas Instruments, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом CSD19532KTT?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD19532KTT.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.