Поставка оригинальных BSC030P03NS3GAUMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных BSC030P03NS3GAUMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

BSC030P03NS3GAUMA1

Внутренний код

TCE000055769

Упаковка

-

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

OptiMOS™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для BSC030P03NS3GAUMA1 от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Contains Lead

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Factory Lead Time

13 Weeks

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
13 Weeks
Published
2005
Packaging
Tape & Reel (TR)
Halogen Free
Halogen Free
Terminal Position
DUAL
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.1mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Package / Case
8-PowerTDFN
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Pbfree Code
no
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Terminal Form
FLAT
Power Dissipation
2.5W
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
200A
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Fall Time (Typ)
33 ns
Series
OptiMOS™
Drain-source On Resistance-Max
0.0046Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas)
345 mJ
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3m Ω @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
186nC @ 10V
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 125W Tc
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 345μA
Manufacturer's Part No.
BSC030P03NS3GAUMA1
Continuous Drain Current (ID)
-25.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25.4A Ta 100A Tc
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-F5
Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
98 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
27 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Rise Time
105ns
Max Dual Supply Voltage
-30V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют BSC030P03NS3GAUMA1, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое BSC030P03NS3GAUMA1?

BSC030P03NS3GAUMA1 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для BSC030P03NS3GAUMA1?

Для BSC030P03NS3GAUMA1 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли BSC030P03NS3GAUMA1 в наличии?

Сейчас на странице указано 71491 шт. на складе и 71491 шт. доступно для BSC030P03NS3GAUMA1. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для BSC030P03NS3GAUMA1?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для BSC030P03NS3GAUMA1 от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для BSC030P03NS3GAUMA1?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для BSC030P03NS3GAUMA1 от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом BSC030P03NS3GAUMA1?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для BSC030P03NS3GAUMA1.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.