Поставка оригинальных FDB86102LZ, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных FDB86102LZ, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FDB86102LZ

Внутренний код

TCE000056379

Упаковка

TO-263-3

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

PowerTrench®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FDB86102LZ от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
6.6 ns
Rise Time
2.1ns
Turn-Off Delay Time
18.2 ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
8 Weeks
Published
2011
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Length
10.67mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Weight
1.31247g
Width
11.33mm
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
50A
Threshold Voltage
1.5V
Height
4.83mm
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Continuous Drain Current (ID)
30A
Nominal Vgs
1.5 V
Power Dissipation
3.1W
Power Dissipation-Max
3.1W Ta
Fall Time (Typ)
2.3 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Drain-source On Resistance-Max
0.024Ohm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24m Ω @ 8.3A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDB86102LZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1275pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.3A Ta 30A Tc

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDB86102LZ, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FDB86102LZ?

FDB86102LZ — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FDB86102LZ?

Для FDB86102LZ указан корпус TO-263-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FDB86102LZ в наличии?

Сейчас на странице указано 55294 шт. на складе и 41316 шт. доступно для FDB86102LZ. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FDB86102LZ?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDB86102LZ от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FDB86102LZ?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDB86102LZ от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FDB86102LZ?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDB86102LZ.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.