Что такое FDG330P?
FDG330P — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDG330P, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDG330P от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
2001
Product Attribute
Packaging
Tape & Reel (TR)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Width
1.25mm
Factory Lead Time
48 Weeks
Power Dissipation
750mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Weight
28mg
Lifecycle Status
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Vgs (Max)
±8V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
1.8V 4.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Height
1mm
Length
2mm
Threshold Voltage
-700mV
Voltage - Rated DC
-12V
Drain to Source Breakdown Voltage
-12V
Power Dissipation-Max
750mW Ta
Fall Time (Typ)
11 ns
Drain Current-Max (Abs) (ID)
2A
Current Rating
-2A
Continuous Drain Current (ID)
2A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A Ta
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Manufacturer's Part No.
FDG330P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
477pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110m Ω @ 2A, 4.5V
Turn-Off Delay Time
12 ns
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Rise Time
11ns
Turn On Delay Time
10 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDG330P, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDG330P?
Для FDG330P указан корпус SC70-6. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDG330P в наличии?
Сейчас на странице указано 12324 шт. на складе и 12324 шт. доступно для FDG330P. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDG330P?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDG330P от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDG330P?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDG330P от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDG330P?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDG330P.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDC5612
212 покупали
SSOT-6
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.14Добавить в список RFQ
FDP2532
224 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
Ориентировочная цена
$3.22Добавить в список RFQ
SI2304BDS-T1-E3
187 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.20Добавить в список RFQ
IRFUC20PBF
174 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
Ориентировочная цена
$1.12Добавить в список RFQ
IRFR4105ZTRPBF
187 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Ориентировочная цена
$0.41Добавить в список RFQ
FDP036N10A
202 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
Ориентировочная цена
$2.20Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.