Что такое FQPF4N90C?
FQPF4N90C — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FQPF4N90C, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
QFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FQPF4N90C от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
40 ns
Product Parameter
Rise Time
50ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
25 ns
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
40 ns
Rise Time
50ns
Turn On Delay Time
25 ns
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Length
10.16mm
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Published
2003
Factory Lead Time
4 Weeks
Height
9.19mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Series
QFET®
Vgs (Max)
±30V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Number of Terminations
3
Width
4.7mm
Current Rating
4A
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Case Connection
ISOLATED
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Threshold Voltage
5V
Fall Time (Typ)
35 ns
Weight
2.27g
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Voltage - Rated DC
900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A Tc
Drain Current-Max (Abs) (ID)
4A
Drain to Source Breakdown Voltage
900V
Continuous Drain Current (ID)
4A
Avalanche Energy Rating (Eas)
570 mJ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 Ω @ 2A, 10V
Power Dissipation
47W
Manufacturer's Part No.
FQPF4N90C
Power Dissipation-Max
47W Tc
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQPF4N90C, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FQPF4N90C?
Для FQPF4N90C указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FQPF4N90C в наличии?
Сейчас на странице указано 50279 шт. на складе и 50279 шт. доступно для FQPF4N90C. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FQPF4N90C?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQPF4N90C от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FQPF4N90C?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQPF4N90C от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FQPF4N90C?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQPF4N90C.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
CSD18503Q5AT
201 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Ориентировочная цена
$1.03Добавить в список RFQ
NTLJS3113PT1G
140 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
Ориентировочная цена
$0.20Добавить в список RFQ
IRFR3411TRPBF
225 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Ориентировочная цена
$0.37Добавить в список RFQ
IRL530NSTRLPBF
175 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.60Добавить в список RFQ
FQP7N80C
132 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
Ориентировочная цена
$2.37Добавить в список RFQ
SI3410DV-T1-GE3
153 покупали
TSOP
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Ориентировочная цена
$5.95Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.