Что такое FQP22N30?
FQP22N30 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FQP22N30, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
QFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FQP22N30 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Factory Lead Time
4 Weeks
Published
2000
Current Rating
21A
Height
9.4mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Resistance
160mOhm
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation-Max
170W Tc
Weight
1.8g
Series
QFET®
Vgs (Max)
±30V
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Number of Terminations
3
Length
10.1mm
Width
4.7mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Voltage - Rated DC
300V
Nominal Vgs
5 V
Threshold Voltage
5V
Fall Time (Typ)
100 ns
Power Dissipation
170W
Drain to Source Breakdown Voltage
300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A Tc
Continuous Drain Current (ID)
21A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
84A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160m Ω @ 10.5A, 10V
Manufacturer's Part No.
FQP22N30
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
85 ns
Turn On Delay Time
35 ns
Rise Time
230ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQP22N30, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FQP22N30?
Для FQP22N30 указан корпус TO-220. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 300V 21A TO-220. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FQP22N30 в наличии?
Сейчас на странице указано 30662 шт. на складе и 30662 шт. доступно для FQP22N30. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FQP22N30?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQP22N30 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FQP22N30?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQP22N30 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FQP22N30?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQP22N30.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
STD7NM80
216 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
Ориентировочная цена
$8.06Добавить в список RFQ
DMP2123L-7
226 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.09Добавить в список RFQ
FDMA291P
205 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
Ориентировочная цена
$8.49Добавить в список RFQ
FQD13N10LTM
171 покупали
TO-252
RoHS
Datasheet
N-Channel 100V 10A 2V @ 250uA 180mΩ @ 5A,10V 2.5W TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.35Добавить в список RFQ
IRF3808STRLPBF
174 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.67Добавить в список RFQ
FCPF400N80Z
145 покупали
TO-220-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
Ориентировочная цена
$1.28Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.