Что такое IRFR214TRRPBF?
IRFR214TRRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных IRFR214TRRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для IRFR214TRRPBF от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
16 ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
7 ns
Product Parameter
Rise Time
7.6ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
16 ns
Turn On Delay Time
7 ns
Rise Time
7.6ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
250V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS non-compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Published
2015
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Length
6.73mm
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Weight
1.437803g
Fall Time (Typ)
7 ns
Continuous Drain Current (ID)
2.2A
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 25W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A Tc
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
8.8A
Drain-source On Resistance-Max
2Ohm
DS Breakdown Voltage-Min
250V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ω @ 1.3A, 10V
Manufacturer's Part No.
IRFR214TRRPBF
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFR214TRRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для IRFR214TRRPBF?
Для IRFR214TRRPBF указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли IRFR214TRRPBF в наличии?
Сейчас на странице указано 60830 шт. на складе и 55362 шт. доступно для IRFR214TRRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для IRFR214TRRPBF?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFR214TRRPBF от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для IRFR214TRRPBF?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFR214TRRPBF от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом IRFR214TRRPBF?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFR214TRRPBF.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFH7932TRPBF
151 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Ориентировочная цена
$0.34Добавить в список RFQ
FDD2670
221 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Ориентировочная цена
$0.26Добавить в список RFQ
STD30NF06T4
179 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
Ориентировочная цена
$0.60Добавить в список RFQ
SIR462DP-T1-GE3
219 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$3.50Добавить в список RFQ
IRFP048NPBF
151 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
Ориентировочная цена
$0.92Добавить в список RFQ
FDMS7682
215 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 22A POWER56
Ориентировочная цена
$0.16Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.