Что такое IRFU110PBF?
IRFU110PBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных IRFU110PBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для IRFU110PBF от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
15 ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Rise Time
16ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
6.9 ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
15 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
16ns
Turn On Delay Time
6.9 ns
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
8 Weeks
Published
2010
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Length
6.73mm
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Threshold Voltage
4V
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Avalanche Energy Rating (Eas)
75 mJ
Height
6.22mm
Weight
329.988449mg
Resistance
540mOhm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Fall Time (Typ)
9.4 ns
Continuous Drain Current (ID)
4.3A
Power Dissipation
25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A Tc
Width
2.38mm
Power Dissipation-Max
25W Tc
Manufacturer's Part No.
IRFU110PBF
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540m Ω @ 900mA, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH SVHC
Unknown
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFU110PBF, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для IRFU110PBF?
Для IRFU110PBF указан корпус TO-251-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли IRFU110PBF в наличии?
Сейчас на странице указано 87402 шт. на складе и 87402 шт. доступно для IRFU110PBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для IRFU110PBF?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFU110PBF от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для IRFU110PBF?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFU110PBF от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом IRFU110PBF?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFU110PBF.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
ZXM61N03FTA
128 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
STB75NF20
183 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
Ориентировочная цена
$3.18Добавить в список RFQ
IRFH5020TRPBF
154 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Ориентировочная цена
$1.29Добавить в список RFQ
IRF3710ZPBF
173 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.52Добавить в список RFQ
FDS4685
225 покупали
8SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Ориентировочная цена
$0.31Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.